技術優點:
應用場(chǎng)景 | 傳統方法局限性 | 微波PLASMA優勢(shì) |
光(guāng)刻膠去除 | 耗時(shí)、化學汙染 | 快速(sù)、無化學殘留 |
芯片封裝處理 | 高溫損傷(shāng)、均勻性差(chà) | 低溫操作、高均勻性 |
刻蝕(shí)工藝 | 精度不足、材料限製 | 納(nà)米級精度、多材料(liào)兼容 |
應用場景 | 傳統方法局限(xiàn)性(xìng) | 微波PLASMA優勢 |
光刻膠去除 | 耗時、化學汙(wū)染(rǎn) | 快速、無化學殘留 |
芯片(piàn)封裝處理 | 高溫損傷、均勻性差 | 低溫操作、高均勻性 |
刻(kè)蝕工藝 | 精度不足、材料限製 | 納米級精度、多材料(liào)兼容 |
應用場(chǎng)景 | 傳統方法局限性 | 微波PLASMA優勢(shì) |
光(guāng)刻膠去除 | 耗時(shí)、化學汙染 | 快速(sù)、無化學殘留 |
芯片封裝處理 | 高溫損傷(shāng)、均勻性差(chà) | 低溫操作、高均勻性 |
刻蝕(shí)工藝 | 精度不足、材料限製 | 納(nà)米級精度、多材料(liào)兼容 |